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　　面锥顶点距瞬时螺旋轴原始机构（MOS管）是独特且重要，然而相比其他元件，MOS管很容易失效，导致电路无法正常运行，因此

　　MOS管的输入阻抗极高，使得它们对静电放电非常敏感。ESD可能导致MOS管内部的PN结或栅氧化层损坏，从而引发失效。

　　在极端工作条件下，如高电流或高电压，MOS管可能会过热，导致材料退化，从而引发MOS管失效。

　　某些环境因素，如湿度、化学物质等，可能会对MOS管的材料造成腐蚀，导致性能下降或失效。

　　漏极D-源极S间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。

　　超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。

　　在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。

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　　的栅极驱动电路中，自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中，

　　被击穿，尤其是是大功率的vmos，主要是不少都有二极管保护。vmos栅极电容大，感应不出高压。与干燥的北方不同，南方潮湿不易产生静电。还有

　　做开关，com1为高电平时，out=12V，com1为低电平时，out=0V，out外接电路电流在30mA内，工作一段时间后，com1=0V，out输出也有11V多，

　　图中这个电路常温是好的，经过低温-40度后，后面系统不工作，测量发现12V_OUT只有1.4V；经过排查发现是其中一个

　　的栅极驱动电路中，自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中，

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　　管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。 目前在市场应用方面，排名第一的是消费类电子电源适配器产品。排名第二的是计算机主

　　），也就是漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSF

　　冗余驱动方案 /

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